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 HfO2-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors with 260 nm Channel Length and Long Data Retention 沟道长度为260 nm、数据保持时间长的HfO2基铁电场效应晶体管
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期刊： 作者：Ekaterina Yurchuk; Johannes Müller; Raik Hoffmann; Paul Jarman; Dominik Martin; et al 出版日期：2012-05-01 |
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