A New Quasi-3D Analytical Framework for Channel Potential and Threshold Voltage in Triple Material Gate Nanosheet MOSFETs

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标题	A New Quasi-3D Analytical Framework for Channel Potential and Threshold Voltage in Triple Material Gate Nanosheet MOSFETs 三重材料栅极纳米片MOSFET沟道电位和阈值电压的准三维分析框架相关领域纳米片频道（广播）材料科学 MOSFET 阈值电压电子工程电压光电子学工程类电气工程纳米技术晶体管
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2025.106710
DOI	10.1016/j.mejo.2025.106710 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：E. Rajalakshmi; N. B. Balamurugan; M. Suguna; D. Sriram Kumar 出版日期：2025-04-28
求助人	压垮稻草的最后一只骆驼在 2025-08-03 15:55:39 发布自中国，悬赏 10 积分
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