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 A New Quasi-3D Analytical Framework for Channel Potential and Threshold Voltage in Triple Material Gate Nanosheet MOSFETs 三重材料栅极纳米片MOSFET沟道电位和阈值电压的准三维分析框架
相关领域
纳米片
频道（广播）
材料科学
MOSFET
阈值电压
电子工程
电压
光电子学
工程类
电气工程
纳米技术
晶体管
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期刊：Microelectronics Journal 作者：E. Rajalakshmi; N. B. Balamurugan; M. Suguna; D. Sriram Kumar 出版日期：2025-04-28 |
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