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[高分] A Two-Dimensional Model for the Surface Potential and Subthreshold Current of Doped Double-Gate (DG) MOSFETs with a Vertical Gaussian-Like Doping Profile
相关领域
阈下传导 兴奋剂 双闸门 MOSFET 材料科学 光电子学 高斯分布 阈下斜率 曲面（拓扑） 凝聚态物理 物理 晶体管 数学 几何学 量子力学 电压
网址
https://doi.org/10.1166/jno.2010.1119
DOI
10.1166/jno.2010.1119 doi
其它 期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
作者：Sarvesh Dubey; Pramod Kumar Tiwari; Satyabrata Jit
出版日期：2010-12-01
求助人
共享精神 在 2025-10-17 17:04:43 发布自广东，悬赏 150 积分
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