A ZnO cross-bar array resistive random access memory stacked with heterostructure diodes for eliminating the sneak current effect

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标题	A ZnO cross-bar array resistive random access memory stacked with heterostructure diodes for eliminating the sneak current effect 相关领域电阻随机存取存储器异质结光电子学材料科学二极管巴（单位）电流（流体）非阻塞I/O 电阻式触摸屏电流密度电气工程电压工程类物理化学气象学催化作用量子力学生物化学
网址	https://doi.org/10.1063/1.3599707
DOI	10.1063/1.3599707 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jung-Won Seo; Seung Jae Baik; Sang Jung Kang; Yun Ho Hong; Ji Yang; et al 出版日期：2011-06-06
求助人	Qiao 在 2025-09-29 16:02:10 发布自天津，悬赏 10 积分
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