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 Interpretation of mobility universality against effective electric field of Si nMOSFETs based on nonlinear model of surface roughness scattering 基于表面粗糙度散射非线性模型的Si NMOSFET迁移率对有效电场的普遍性解释
相关领域
普遍性（动力系统）
电场
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材料科学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kei Sumita; Kasidit Toprasertpong; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi 出版日期：2023-05-18 |
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