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  Role of interfacial layer on complementary resistive switching in the TiN/HfOx/TiN resistive memory device 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：H. Z. Zhang; D. S. Ang; Chenjie Gu; K. S. Yew; X. P. Wang; et al 出版日期：2014-12-01 |
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