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标题
Improved electrical performance of lateral β-Ga2O3 MOSFETs utilizing slanted fin channel structure
利用倾斜鳍状沟道结构提高横向β-Ga 2 O3 MOS的电气性能
相关领域
MOSFET 功勋 材料科学 光电子学 鳍 短通道效应 晶体管 场效应晶体管 电气工程 频道（广播） 阈值电压 功率MOSFET 信道长度调制 电压 工程类 复合材料
网址
https://doi.org/10.1063/5.0119694
DOI
10.1063/5.0119694 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Hongyu Liu; Jianing Li; Yuanjie Lv; Yuangang Wang; Xiaoli Lu; et al
出版日期：2022-11-14
求助人
小盒 在 2025-05-19 11:19:13 发布自江苏，悬赏 10 积分
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