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 Improved electrical performance of lateral β-Ga2O3 MOSFETs utilizing slanted fin channel structure 利用倾斜鳍状沟道结构提高横向β-Ga 2 O3 MOS的电气性能
相关领域
MOSFET
功勋
材料科学
光电子学
鳍
短通道效应
晶体管
场效应晶体管
电气工程
频道（广播）
阈值电压
功率MOSFET
信道长度调制
电压
工程类
复合材料
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hongyu Liu; Jianing Li; Yuanjie Lv; Yuangang Wang; Xiaoli Lu; et al 出版日期：2022-11-14 |
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