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 High-Frequency Performance of GaN High-Electron Mobility Transistors on 3C-SiC/Si Substrates With Au-Free Ohmic Contacts 无金欧姆接触3C-SiC/Si衬底上GaN高电子迁移率晶体管的高频性能
相关领域
欧姆接触
跨导
高电子迁移率晶体管
晶体管
材料科学
碳化硅
光电子学
硅
电气工程
纳米技术
工程类
电压
冶金
图层（电子）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Wael Jatal; Uwe Baumann; Katja Tonisch; Frank Schwierz; J. Pezoldt 出版日期：2014-12-11 |
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