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 Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal 减少高掺杂N型4H-SiC晶体中的层错
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兴奋剂
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期刊：Materials science forum 作者：Kazutoshi Kojima; Tomohisa Kato; Sachiko Ito; Jun Kojima; Fusao Hirose; et al 出版日期：2011-03-28 |
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