Elevated source drain devices using silicon selective epitaxial growth

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标题	Elevated source drain devices using silicon selective epitaxial growth
网址	http://dx.doi.org/10.1116/1.591369
DOI	10.1116/1.591369 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者：S. B. Samavedam; A. Dip; A. M. Phillips; P. J. Tobin; T. Mihopolous; et al 出版日期：2000-05-01
求助人	zaozi 在 2026-07-22 00:07:52 发布自北京，悬赏 10 积分
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