Mechanism of dense silicon dioxide films deposited under 100 °C via inductively coupled plasma chemical vapor deposition

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标题	Mechanism of dense silicon dioxide films deposited under 100 °C via inductively coupled plasma chemical vapor deposition
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S025789721...
DOI	10.1016/j.surfcoat.2018.12.068 doi
其它	期刊：Surface and Coatings Technology 作者：Shui-Yang Lien; Yun-Shao Cho; Chia-Hsun Hsu; Kuo-Yao Shen; Sam Zhang; et al 出版日期：2018-12-18
求助人	hhxs 在 2026-07-03 11:36:09 发布自山东，悬赏 10 积分
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