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Deep Levels due to 4d- and 5d-Transition Element Impurties in III-V Semiconductors 相关领域
材料科学
半导体
过渡金属
要素(刑法)
工程物理
凝聚态物理
光电子学
政治学
工程类
物理
法学
生物化学
化学
催化作用
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期刊:Materials Science Forum 作者:A.A. Gippius; V.V. Chernyaev; N.Yu. Ponomarev; V.V. Ushakov 出版日期:2009-03-11 |
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