Analysis of Channel Thermal Resistance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors-on SiC with Different Buffer Thickness

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标题	Analysis of Channel Thermal Resistance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors-on SiC with Different Buffer Thickness
网址	https://doi.org/10.5573/JSTS.2025.25.2.160
DOI	10.5573/JSTS.2025.25.2.160 doi
其它	期刊：JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 作者：Junpyo Lee; Byoung-Gue Min; Jongmin Lee; Dongmin Kang; Hyungtak Kim 出版日期：2025
求助人	辛勤如柏在 2026-03-22 20:00:03 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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