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 Very low temperature (450 °C) selective epitaxial growth of heavilyin situboron-doped SiGe layers 相关领域
二硼烷
分析化学（期刊）
化学气相沉积
硼
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薄脆饼
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：J. Aubin; Jean‐Michel Hartmann; M. Veillerot; Z. Essa; B. Sermage 出版日期：2015-10-05 |
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