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标题
Dummy gate-assisted n-MOSFET layout for a radiation-tolerant integrated circuit
用于耐辐射集成电路的虚拟栅极辅助n-MOSFET布局
相关领域
MOSFET 晶体管 泄漏（经济） 场效应晶体管 电气工程 光电子学 材料科学 金属浇口 电子工程 集成电路 辐射 栅氧化层 计算机科学 工程类 电压 物理 光学 宏观经济学 经济
网址
https://ieeexplore.ieee.org/document/6555975
DOI
10.1109/TNS.2013.2268390 doi
求助人
跳跃的访琴 在 2026-01-01 19:09:53 发布自江苏，悬赏 10 积分
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