| 标题 |
 Characteristics of transport properties in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.35N channel HEMTs with low contact resistance and high breakdown voltage (>2.5 kV) 具有低接触电阻和高击穿电压（>2.5 kV）的超宽带隙Al0.65Ga 0.35 N沟道HEMT的输运特性
相关领域
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
接触电阻
带隙
击穿电压
电压
电气工程
纳米技术
工程类
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Swarnav Mukhopadhyay; Khush Gohel; Surjava Sanyal; Mayand Dangi; Rajnin Imran Roya; et al 出版日期：2025-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
大力的冬萱
Copyright
ale
yjh123
矮小的行云
arniu2008
aaaa
Nexus
认真的不评
22336
行走的荷尔蒙
关山北
蓝天
sagitar
科研狗
俊秀的白曼
pokexuejiao
殷勤的紫槐
皖公网安备34019202002308
