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 High‐Mobility Transistors Based on Large‐Area and Highly Crystalline CVD‐Grown MoSe2 Films on Insulating Substrates 基于绝缘衬底上大面积高结晶CVD生长MoSe2薄膜的高迁移率晶体管
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期刊：Advanced Materials 作者：Jong‐Soo Rhyee; Junyeon Kwon; Piyush Dak; Jin Hee Kim; Seung Min Kim; et al 出版日期：2016-01-11 |
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