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标题
Impact of Intrinsic Parameter Dispersion on Short-Circuit Reliability of Parallel-Connected Planar and Trench SiC MOSFETs
本征参数色散对并联平面和沟槽SiC MOSFET短路可靠性的影响
相关领域
平面的 可靠性(半导体) MOSFET 沟槽 材料科学 碳化硅 色散(光学) 光电子学 电气工程 电子工程 计算机科学 工程类 物理 电压 晶体管 光学 纳米技术 冶金 计算机图形学(图像) 图层(电子) 量子力学 功率(物理)
网址
DOI
10.1109/tie.2024.3383026 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Industrial Electronics
作者:Renze Yu; Saeed Jahdi; Phil Mellor
出版日期:2024-04-26
求助人
1404154936 在 2025-12-06 15:40:01 发布自辽宁,悬赏 10 积分
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