| 标题 |
Impact of Intrinsic Parameter Dispersion on Short-Circuit Reliability of Parallel-Connected Planar and Trench SiC MOSFETs 本征参数色散对并联平面和沟槽SiC MOSFET短路可靠性的影响
相关领域
平面的
可靠性(半导体)
MOSFET
沟槽
材料科学
碳化硅
色散(光学)
光电子学
电气工程
电子工程
计算机科学
工程类
物理
电压
晶体管
光学
纳米技术
冶金
计算机图形学(图像)
图层(电子)
量子力学
功率(物理)
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Industrial Electronics 作者:Renze Yu; Saeed Jahdi; Phil Mellor 出版日期:2024-04-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
已经有人上传了文献,该状态下其他人无法上传,请等待求助人确认该文件是否是他需要的。
如果求助人在 48 小时内还未确认,系统默认应助成功,本求助将自动关闭。
科研通AI2.0
机器人 未找到该文献,机器人已退出,请等待人工下载
15:40:04 未找到该文献,机器人已退出,请等待人工下载15:40:02 科研通AI机器人(美国 洛杉矶)收到请求,开始寻找文献15:40:01 已向机器人发送请求
1404154936
Lv2 求助人 发起了本次求助