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Molecular Beam Epitaxy of Homogeneous Topological HgTe on Doped InAs Substrate 掺杂InAs衬底上均匀拓扑HgTe的分子束外延
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Mahitosh Biswas; Lena Fürst; M. Kamp; S. Schreyeck; H. Buhmann; et al 出版日期:2024-09-23 |
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