| 标题 |
 Endurance Degradation in Metal Oxide-Based Resistive Memory Induced by Oxygen Ion Loss Effect 氧离子损失效应引起的金属氧化物基电阻存储器耐久性退化
相关领域
降级（电信）
电阻随机存取存储器
氧气
电气工程
离子
材料科学
电阻式触摸屏
重置（财务）
氧化物
高电阻
光电子学
化学
电压
工程类
冶金
有机化学
经济
金融经济学
生物
农学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bing Chen; Jin Kang; Bin Gao; Ye Xin Deng; Li Feng Liu; et al 出版日期：2013-08-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Kao
Copyright
Samuel
yjh123
行走的荷尔蒙
arniu2008
蓝天
OK
学术文献互助
嘻嘻哈哈
liuzhuohao
殷勤的紫槐
斯文的初蝶
不潮薯饼
乐空思
无极微光
cqr
ale
sagitar
皖公网安备34019202002308
