Endurance Degradation in Metal Oxide-Based Resistive Memory Induced by Oxygen Ion Loss Effect

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标题	Endurance Degradation in Metal Oxide-Based Resistive Memory Induced by Oxygen Ion Loss Effect 氧离子损失效应引起的金属氧化物基电阻存储器耐久性退化相关领域降级（电信）电阻随机存取存储器氧气电气工程离子材料科学电阻式触摸屏重置（财务）氧化物高电阻光电子学化学电压工程类冶金有机化学经济金融经济学生物农学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2013.2277916
DOI	10.1109/led.2013.2277916 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bing Chen; Jin Kang; Bin Gao; Ye Xin Deng; Li Feng Liu; et al 出版日期：2013-08-28
求助人	Sophia 在 2025-12-18 22:04:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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