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 Memory window enhancement in n-type ferroelectric field-effect transistors by engineering ozone exposure in atomic layer deposition of HfZrOx films 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jihoon Jeon; Song‐Hyeon Kuk; Ah-Jin Cho; Seung‐Hyub Baek; Sanghyeon Kim; et al 出版日期：2023-06-05 |
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