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Oxide Reliability of Gate Biased Trench Si-IGBTs Irradiated with Protons and Neutrons 质子和中子辐照栅极偏置沟槽Si-IGBT的氧化物可靠性
相关领域
沟槽
可靠性(半导体)
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期刊: 作者:Lucas Barroso Spejo; Silvan Rehm; Vladimír Novák; Benedict Ammann; Philippe Würsch; et al 出版日期:2024-06-02 |
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