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 Drain current model for undoped Gate Stack Double Gate (GSDG) MOSFETs including the hot-carrier degradation effects 相关领域
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：F. Djeffal; Toufik Bentrcia; M.A. Abdi; T. Bendib 出版日期：2010-11-02 |
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