Improved Tradeoff Between Dynamic Breakdown Voltage and Specific On-Resistance in a SOI LDMOS with a Double-Step-Doped Drift Region and a P-Type Buried Layer Beneath the BOX

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标题	Improved Tradeoff Between Dynamic Breakdown Voltage and Specific On-Resistance in a SOI LDMOS with a Double-Step-Doped Drift Region and a P-Type Buried Layer Beneath the BOX
网址	http://dx.doi.org/10.3390/mi17111270
DOI	10.3390/mi17111270 doi
其它	期刊：Micromachines 作者：Xiaoming Yang; Tianqian Li; Taiqiang Cao; Xuan Lin; Zhe Yang; et al 出版日期：2026-10-31
求助人	加兰在 2026-11-07 00:15:02 发布自浙江，悬赏 10 积分
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