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 Investigation on interface charges in SiN/AlxGa1−xN/GaN heterostructures by analyzing the gate-to-channel capacitance and the drain current behaviors SiN/AlxGa1-xN/GaN异质结构的栅沟电容和漏电流特性研究
相关领域
异质结
材料科学
费米气体
凝聚态物理
电容
兴奋剂
光电子学
工作职能
极化（电化学）
电子
图层（电子）
化学
纳米技术
物理
电极
物理化学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Journal of applied physics 作者：B. Rrustemi; Marie-Anne Jaud; François Triozon; C. Piotrowicz; W. Vandendaele; et al 出版日期：2021-09-09 |
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