InGaN/GaN edge emitting laser diodes using an epitaxial lateral overgrowth with a low-defect density area of more than 75%

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标题	InGaN/GaN edge emitting laser diodes using an epitaxial lateral overgrowth with a low-defect density area of more than 75%
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9e5d
DOI	10.35848/1347-4065/ad9e5d doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hsun–Ming Chang; Srinivas Gandrothula; Stephen Gee; Tanay Tak; Matthew S. Wong; et al 出版日期：2024-12-12
求助人	xiaofeiy 在 2026-10-18 20:40:04 发布自广东，悬赏 10 积分
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