| 标题 |
 Novel Antiferroelectric Si-Doped HfO2 Blocking Layer for Low-Voltage ( 相关领域
材料科学
阻塞（统计）
图层（电子）
光电子学
闪光灯（摄影）
窗口（计算）
反铁电性
固态
组分（热力学）
闪存
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| 网址 | |
| DOI |
10.7567/ssdm.2026.b-2-06
doi
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| 其它 |
期刊：Extended Abstracts of the 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials 作者：Kaiyi Li; Yuanyuan Zhao; Mingkai Bai; Xinpei Jia; Tao Hu; et al 出版日期：2026-09-15 |
| 求助人 | |
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(2025-6-4)
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