Formation and multiplication of basal plane dislocations during physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals

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标题	Formation and multiplication of basal plane dislocations during physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.027
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2019.03.027 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Takahiro Nakano; Naoto Shinagawa; Masahiro Yabu; Noboru Ohtani 出版日期：2019-06-01
求助人	牧州东语榕在 2026-10-10 17:02:19 发布自湖南，悬赏 10 积分
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