Process-Coupled Minimum R on,sp and Its Experiment in 1200-V Si-Based Semi-SJ Device

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标题	Process-Coupled Minimum R on,sp and Its Experiment in 1200-V Si-Based Semi-SJ Device
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3674464
DOI	10.1109/ted.2026.3674464 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Rongyao Ma; Ping Li; Hao Zhong; Teng Liu; Wentong Zhang; et al 出版日期：2026-05-01
求助人	haha 在 2026-08-20 14:47:06 发布自浙江，悬赏 10 积分
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