Highly stable, solution-processed quaternary oxide thin film-based resistive switching random access memory devices via global and local stoichiometric manipulation strategy

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标题	Highly stable, solution-processed quaternary oxide thin film-based resistive switching random access memory devices via global and local stoichiometric manipulation strategy
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab7e71
DOI	10.1088/1361-6528/ab7e71 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Dongyun Lee; Min Chul Chun; Hyungduk Ko; Bo Soo Kang; Jaekyun Kim 出版日期：2020-03-27
求助人	Liulu 在 2026-08-23 14:05:58 发布自湖北，悬赏 10 积分
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