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 Analytical model and experimental validation of critical dependency of pGaN gated AlGaN/GaN enhancement-mode high electron mobility transistor characteristics on trap-assisted tunneling pGaN栅AlGaN/GaN增强型高电子迁移率晶体管特性对陷阱辅助隧穿临界依赖性的解析模型和实验验证
相关领域
晶体管
材料科学
量子隧道
存水弯（水管）
光电子学
宽禁带半导体
依赖关系（UML）
电子迁移率
模式（计算机接口）
感应高电子迁移率晶体管
电子
凝聚态物理
高电子迁移率晶体管
物理
电压
计算机科学
软件工程
量子力学
气象学
操作系统
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：R. Jeyakumar; J.R. James; Swaroop Ganguly; Dipankar Saha 出版日期：2024-10-17 |
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