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Mitigation of Single-Event Upset Sensitivity for 6T SRAM in a 0.18 μm DSOI Technology Considering High LET Heavy Ions Irradiation
相关领域
符号 静态随机存取存储器 线性能量转移 物理 离散数学 数学 算术 计算机科学 核物理学 辐照 计算机硬件
网址
http://dx.doi.org/10.1109/tns.2023.3333877
DOI
10.1109/tns.2023.3333877 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Yuchong Wang; Siyuan Chen; Fanyu Liu; Jiantou Gao; Bo Li; et al
出版日期：2023-11-16
求助人
小Q 在 2026-01-09 14:27:32 发布自四川，悬赏 10 积分
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