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标题
The Impacts of Cesl and STI Mechanical Stress Effect on Device Performance for UTBB FD-SOI MOSFET
Cesl和STI机械应力效应对UTBB FD-SOI MOSFET器件性能的影响
相关领域
PMOS逻辑 NMOS逻辑 材料科学 光电子学 绝缘体上的硅 MOSFET 浅沟隔离 压力（语言学） 复合材料 图层（电子） 电气工程 沟槽 晶体管 电压 硅 哲学 工程类 语言学
网址
https://doi.org/10.1149/ma2020-02683612mtgabs
DOI
10.1149/ma2020-02683612mtgabs doi
其它 期刊：ECS Meeting Abstracts
作者：Byung-eun Yun; YK Hong; Young-sang Jung; Youngmok Kim; Jin‐Hong Park; et al
出版日期：2020-11-23
求助人
Lee 在 2025-12-22 15:11:38 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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