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 The performance limits of hexagonal boron nitride as an insulator for scaled CMOS devices based on two-dimensional materials 相关领域
材料科学
纳米电子学
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晶体管
半导体
MOSFET
纳米技术
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绝缘体上的硅
工程物理
电压
电气工程
硅
物理
工程类
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10.48550/arxiv.2008.04144
Doi
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期刊：Nature Electronics 作者：Theresia Knobloch; Yu. Yu. Illarionov; Fabian Ducry; Christian Schleich; Stefan Wachter; et al 出版日期：2021-02-23 |
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