Process engineering of GaN power devices via selective-area p-type doping with ion implantation and ultra-high-pressure annealing

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标题	Process engineering of GaN power devices via selective-area p-type doping with ion implantation and ultra-high-pressure annealing 离子注入和超高压退火选择性区域p型掺杂GaN功率器件工艺工程相关领域材料科学离子注入退火（玻璃）兴奋剂接受者光电子学薄脆饼离子制作氮化镓宽禁带半导体镓氮化物分析化学（期刊）纳米技术化学复合材料冶金凝聚态物理物理替代医学图层（电子）有机化学病理色谱法医学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0107921
DOI	10.1063/5.0107921 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Tetsu Kachi; Tetsuo Narita; Hideki Sakurai; Maciej Matys; Keita Kataoka; et al 出版日期：2022-10-07
求助人	健忘叫兽在 2025-12-03 21:50:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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