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Power Loss Reduction of N-Channel 10-kV SiC IGBTs With Box Cell Layout 采用箱形单元布局降低N沟道10kV SiC IGBT的功率损耗
相关领域
绝缘栅双极晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Naoki Watanabe; Hiroyuki Okino; Haruka Shimizu; Akio Shima 出版日期:2023-06-05 |
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