High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar

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标题	High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar HBr和Ar高协同原子层刻蚀AlGaN/GaN
网址	https://doi.org/10.1116/6.0001862
DOI	10.1116/6.0001862 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Kevin G. Crawford; James Grant; Dilini Tania Hemakumara; Xu Li; Iain Thayne; David A. J. Moran 出版日期：2022
求助人	三人水明在 2025-12-05 11:08:13 发布自河北，悬赏 10 积分
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