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标题
Deep-Level Defects Induced Degradation of Negative Differential Resistance in GaN-Based Resonant Tunneling Diodes
GaN基共振隧穿二极管中深能级缺陷引起的负差分电阻退化
相关领域
量子隧道 二极管 光电子学 材料科学 太赫兹辐射 外延 降级（电信） 凝聚态物理 电子工程 纳米技术 物理 图层（电子） 工程类
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00500
DOI
10.1021/acsaelm.2c00500 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Haibing Qiu; S. Jin; Wenxian Yang; Xue Zhang; Ying Gu; et al
出版日期：2022-06-30
求助人
Reni 在 2025-12-04 18:39:03 发布自青海，悬赏 10 积分
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