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Near-infrared Artificial Synapse Based on a Pristine InGaAs Nanowire Synaptic Transistor 基于原始InGaAs纳米线突触晶体管的近红外人工突触
相关领域
材料科学
神经形态工程学
突触
神经促进
兴奋性突触后电位
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期刊:Nanotechnology 作者:Haomiao Xu; Yanbin Yang; Yisen Li; Jun Deng; Guannan Jiang; et al 出版日期:2025-09-10 |
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