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 Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 宽带隙氮化物半导体中主要本征非辐射复合中心的起源和动力学性质
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
兴奋剂
空位缺陷
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宽禁带半导体
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光电子学
氮化镓
晶体缺陷
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期刊： 作者：Shigefusa F. Chichibu; Kohei Shima; Kazunobu Kojima; Shoji Ishibashi; Akira Uedono 出版日期：2020-02-16 |
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