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 Influence of Transverse Geometry of Sidewall Gates on Characteristics of AlGaN/GaN Fin-HEMTs 相关领域
材料科学
横截面
晶体管
阈下传导
电压
光电子学
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电子
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电气工程
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凝聚态物理
阻塞（统计）
场效应晶体管
电位
几何学
机械
宽禁带半导体
反向短通道效应
电压源
高电子迁移率晶体管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yilin Chen; Qing Zhu; Meng Zhang; Minhan Mi; Jiejie Zhu; et al 出版日期：2024-02-09 |
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