Properties of Selective-Area-Growth GaN Grown on Various Buffered Si(111) Substrates by HVPE

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标题	Properties of Selective-Area-Growth GaN Grown on Various Buffered Si(111) Substrates by HVPE 相关领域材料科学光电子学纳米技术
网址	https://doi.org/10.3938/jkps.51.220
DOI	10.3938/jkps.51.220 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Dong Hoon Shin; Minkun Bae; Yi Shi; Jingtong Na; K. H. Lee; et al 出版日期：2007-12-31
求助人	yyxyyx 在 2025-10-11 20:24:54 发布自河北，悬赏 10 积分
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