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 Influence of helium gas flow under the retort bottom to control the impurities in grown mc-Si ingot by DS process for photovoltaic application: Numerical simulation 反应器底部氦气流量对DS法光伏生长mc-Si锭杂质控制的影响：数值模拟
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：S. Sugunraj; P. Karuppasamy; T. Keerthivasan; G. Aravindan; M. Avinash Kumar; et al 出版日期：2023-02-24 |
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