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标题
Experimental Demonstration of HfO2-based Ferroelectric FET with MoS2 Channel for High-Density and Low-Power Memory Application
用于高密度和低功耗存储器应用的具有MoS2沟道的HfO2基铁电场效应管的实验演示
相关领域
材料科学 铁电性 非易失性存储器 光电子学 频道（广播） 逻辑门 图层（电子） 电气工程 电子工程 纳米技术 电介质 工程类
网址
https://ieeexplore.ieee.org/document/9500007
AI链接 ieee.orgdoi.org
DOI
10.1109/snw51795.2021.00013 doi
其它 期刊：IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
作者：Jiawen Xian; Wen-Hsin Chang; Takuya Saraya; Toshiro Hiramoto; Toshifumi Irisawa; et al
出版日期：2021-06-13
求助人
77 在 2025-08-26 03:30:24 发布自北京，悬赏 10 积分
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