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 Selective Etching of (111)B‐Oriented AlxGa1−xAs‐Layers for Epitaxial Lift‐Off 用于外延剥离的（111）B取向AlxGa1-xAs层的选择性蚀刻
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Tobias Henksmeier; Martin Eppinger; Bernhard Reineke; Thomas Zentgraf; C. Meier; et al 出版日期：2020-10-14 |
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