Reliability Improvement of High Mobility Oxide TFTs Based on Hydrogen-Resistant PEALD Al2O3 Gate Insulators Grown with N2O Plasma

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标题	Reliability Improvement of High Mobility Oxide TFTs Based on Hydrogen-Resistant PEALD Al2O3 Gate Insulators Grown with N2O Plasma
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c18561
DOI	10.1021/acsami.4c18561 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Sang‐Hyun Kim; Yoon-Seo Kim; Taewon Hwang; Tae Heon Kim; H.S. Koo; et al 出版日期：2025-02-20
求助人	唠叨的成威在 2026-08-10 15:04:32 发布自安徽，悬赏 10 积分
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