Achieving higher photoabsorption than group III-V semiconductors in ultrafast thin silicon photodetectors with integrated photon-trapping surface structures

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标题	Achieving higher photoabsorption than group III-V semiconductors in ultrafast thin silicon photodetectors with integrated photon-trapping surface structures
网址	https://www.spiedigitallibrary.org/journals/advanced-photoni...
DOI	10.1117/1.apn.2.5.056001 doi
其它	期刊：作者：Wayesh Qarony; Ahmed S. Mayet; Ekaterina Ponizovskaya Devine; Soroush Ghandiparsi; Cesar Bartolo-Perez; et al 出版日期：2023-07-24
求助人	Zyq1231 在 2026-07-18 20:48:57 发布自美国，悬赏 20 积分
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