A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications

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标题	A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.4939198
DOI	10.1063/1.4939198 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：E. Pérez; S. Dueñas; H. Castán; H. García; L. Bailón; et al 出版日期：2015-12-28
求助人	104zw 在 2026-07-30 10:45:57 发布自四川，悬赏 10 积分
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