Research on High-Threshold-Voltage InAlN/GaN HEMTs with p-GaN Caps and Trench Gates with InGaN Buried Layers

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标题	Research on High-Threshold-Voltage InAlN/GaN HEMTs with p-GaN Caps and Trench Gates with InGaN Buried Layers
网址	http://dx.doi.org/10.1007/s11664-025-12010-6
DOI	10.1007/s11664-025-12010-6 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Yi-Fei Chen; Li-E Cai; Kai Niu; Zhi-Yu Ma; Zhi-Chao Chen; et al 出版日期：2025-06-07
求助人	爹爹在 2026-07-14 16:27:35 发布自河南，悬赏 10 积分
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The American Association of Immunologists(AAI)

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