| 标题 |
 A novel solution to alleviate bit-line break and roughness in 10nm-class high-k metal gate DRAM 相关领域
材料科学
德拉姆
光电子学
表面光洁度
表面粗糙度
电子工程
金属
冶金
CMOS芯片
电气工程
逻辑门
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期刊： 作者：Jieun Lee; Taehoon Kim; Donghee Choi; Suji Kim; Dong‐Seok Kim; et al 出版日期：2025-09-18 |
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